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北條 喜一; 北條 智博; 笹島 尚彦*; 白数 訓子; 山下 利之; 湊 和生; 古野 茂実*
AIP Conference Proceedings 680, p.647 - 652, 2003/00
岩石型燃料の母材として注目されている安定化ZrOの照射特性を調べた。核分裂片による照射損傷は、高エネルギー領域で生じる電子励起による損傷と低エネルギー領域で生じる核的衝突による損傷の二種類に大きく分けることができる。この中で、材料の損傷は、核的衝突によるはじき出しが主と考えられている。そこで、原研が開発して、低エネルギーイオン加速器付設高分解能電子顕微鏡を用いて、加速電圧35keVのHeイオンと60keV Xeイオンを室温から650Cに加熱した上記材料に照射し、各温度による損傷形態の違いを明らかにした。その結果、HeイオンとXeイオン照射どちらの照射においても、材料の非晶質化を観察することができず、対照射性が非常に高いことを明らかにした。また、各照射温度での重照射で、1~2nmのHe及びXeのバブルが生じることを明らかにした。また、1200Cの高温焼鈍において、Xeバルブは、大きく成長し数10nmに成長するがHeバブルはシュリンクし、数密度も減少することを電顕その場観察法を用いて明らかにすることができた。この結果安定化ZrOは、岩石型燃料の母材として照射特性上、非常に優れた材料であることがわかった。
Weidner, M.*; Frank, T.*; Pensl, G.*; 河裾 厚男; 伊藤 久義; Krause-Rehberg, R.*
Physica B; Condensed Matter, 308-310, p.633 - 636, 2001/12
被引用回数:29 パーセンタイル:78.18(Physics, Condensed Matter)この論文では、4H SiC中の電気的に活性な固有欠陥の生成と消滅に関する詳細な研究について報告する。これらの固有欠陥は、n型4H SiCに電子線照射又はヘリウムイオン照射することで生成されたものである。700~2100Kで等時アニールが行われた。固有欠陥は、高感度の深準位過渡応答測定(DLTS)により検出された。エネルギー準位と捕獲断面積などが、アレニウムプロットから決定された。おもに、次の特徴が見いだされた。(1)ヘリウム照射と電子線照射は異なる準位を誘起する。すなわち、電子線照射直後には、複数の電子準位が観測されたが、ヘリウム照射では、それらは130Kのアニール後出現した。(2)大部分の電子準位はアクセプターであり、1700Kのアニールで消失する。(3)同様な試料について陽電子消滅測定を行ったところ、特にZ1/Z2準位と原子空孔のアニール挙動が良く一致することがわかった。
河裾 厚男; Redmann, F.*; Krause-Rehberg, R.*; Sperr, P.*; Frank, T.*; Weidner, M.*; Pensl, G.*; 伊藤 久義
Materials Science Forum, 353-356, p.537 - 540, 2001/00
炭化ケイ素(SiC)半導体を素子化するうえではイオン注入等の放射線プロセスが不可欠であり、付随する照射欠陥の構造、電子準位やアニール挙動を明確にすることが極めて重要である。そこで、われわれは、エピタキシャル成長により製造した高品質六方晶SiC単結晶にヘリウムイオンや電子線を照射し、発生する欠陥を陽電子消滅法を用いて評価した。ヘリウムイオンは、欠陥濃度が照射領域でほぼ均一になるように30~950keVの範囲内でエネルギーを変えながら照射を行い、電子線は2MeVで照射した。等時アニールは100~1700の温度範囲で実施した。陽電子寿命及びドップラー広がり測定の結果、ヘリウムイオン照射で導入した空孔型欠陥の濃度はアニール温度1400付近で急激に減少することを見いだした。同様な結果が電子線照射試料でも得られた。本発表では、これらの空孔型欠陥のアニール過程をDLTS中心との相関を含めて議論する。
笹島 直彦*; 松井 恒雄*; 古野 茂実*; 北條 喜一; 白鳥 徹雄
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 166-167, p.250 - 257, 2000/00
被引用回数:20 パーセンタイル:76.44(Instruments & Instrumentation)岩石型燃料の核分裂片及び線による損傷を評価するために、スピネル及び安定化ジルコニア混合材料に対するヘリウム又はキセノンイオン照射実験を行い、電子顕微鏡で観察した。イオン種は10keV Heイオン及び60keV Xeイオン、照射温度は室温及び650Cであった。これらの照射条件のもとでは、ジルコニアの方が耐照射性に秀れていることが明らかになった。すなわちスピネルはバブルが形成されやすいのに対して、ジルコニアではバブル形成が抑えられる。また、スピネルは室温で非晶質化が起こるのに対して、ジルコニアは全く非晶質化を起こさなかった。一方、スピネル-ジルコニア、ジルコニア-ジルコニア及びスピネル-スピネルの三種類の結晶粒界のうち、スピネル-スピネル粒界にバブルが比較的形成させやすいことがわかった。
武藤 俊介*; 田辺 哲朗*; 竹内 稔*; 小林 由美子*; 古野 茂実*; 北條 喜一
Journal of Nuclear Materials, 271-272, p.285 - 289, 1999/00
被引用回数:5 パーセンタイル:40.62(Materials Science, Multidisciplinary)ヘリウムイオンを照射したグラファイトの構造変化を透過型電子顕微鏡を用いて、その場観察等を行った。その結果、照射の初期(数秒後)にridge networkが出現することを見いだした。また、0.01dpa以下のイオン照射量でnetwork構造が完成することを発見した。そして、この構造変化がはじき出し損傷や注入ガスによる膨張によるよりは表面近くに注入された高密度なエネルギーによる集団的な電子励起に影響されたものであることがわかった。
北條 喜一; 大津 仁; 古野 茂実; 出井 数彦*; 塚本 哲生*
Journal of Nuclear Materials, 212-215, p.281 - 286, 1994/00
被引用回数:16 パーセンタイル:77(Materials Science, Multidisciplinary)TiC結晶にヘリウムイオンを照射し形成された照射欠陥形成挙動を100Kから1500Kの試料温度範囲でその場観察した。イオン照射は400kV電顕付設のイオン加速器を用いて、加速電圧20kVのヘリウムイオン(2.510/cm・s)で行った。その結果、100Kから1300Kまでの温度範囲では、ヘリウムバブルは数nm以上成長しないことを明らかにした。又、100KでもTiC結晶は非晶質相が形成しないことを示した。さらに、焼鈍実験の結果、多量のヘリウムがTiC中に蓄積していることも明らかにできた。バブル成長は1400K前後で始まり、1500K以上で促進することも明らかにできた。
北條 喜一; 古野 茂実; 櫛田 浩平; 大津 仁; 出井 数彦*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 91, p.534 - 539, 1994/00
被引用回数:6 パーセンタイル:57.15(Instruments & Instrumentation)水素とヘリウムイオンを-SiC結晶に照射し、その構造変化を400kV電顕でその場観察した。その結果、水素、ヘリウムイオン照射とも、-SiC結晶に比較して非晶質化に必要な損傷量が約半分の0.4dpaであることがわかった。又、バブルの発生・成長は、-SiC結晶に比較して早く、特に粒界での成長は粒内の成長に比較して数倍早いことを見い出した。この違いは粒界に含まれる焼結補助材の影響と考えられる。
浜田 省三; 北條 喜一; 菱沼 章道
Journal of Nuclear Materials, 205, p.219 - 224, 1993/00
被引用回数:3 パーセンタイル:38.07(Materials Science, Multidisciplinary)ヘリウムイオン照射下でのJPCA溶接継手の微細組織変化を調べた。実験に用いた試料は10%フェライト相を含むJPCAのTIG溶接継手の溶接金属部である。これを500Cで電子顕微鏡内でヘリウムイオン照射し、その場観察を行った。照射を開始してまもなく相と母相の両者に微小なバブルが高密度で生じた。相中のバブルは照射が進むにつれ、成長しついには合体を始めた。一方、母相内のバブルの挙動は相のそれに比べて逆の傾向を示した。また、相の界面では照射が進むにつれ、照射促進変態により変態を生じた。この相の組成は熱時効で形成された相に比べてCrとMoが富化し、FeとNiが欠乏していた。これらの結果から、多量のヘリウムイオンの注入はフェライト相でのバブルの成長ならびに変態を促進することが明らかになった。
古野 茂実; 北條 喜一; 出井 数彦*; 神垣 信生*; 小野 興太郎*; 紀 隆雄*
Journal of Nuclear Materials, 191-194, p.1219 - 1223, 1992/00
被引用回数:2 パーセンタイル:27.46(Materials Science, Multidisciplinary)ヘリウムおよび水素イオンの同時照射下におけるAlの損傷の挙動をイオン導入型多機能分析電顕を用いて、その場観察した。同時照射の場合、He単独照射およびHに続いてHeの個別連続照射に比べて、バブルの成長が著しく促進されることを観察し、He照射のもとで、同時に注入するHの移動がバブルの成長に寄与することを明らかにした。
神垣 信生*; 古野 茂実; 北條 喜一; 小野 興太郎*; 橋本 英二*; 出井 数彦*; 紀 隆雄*
Journal of Nuclear Materials, 191-194, p.1214 - 1218, 1992/00
被引用回数:5 パーセンタイル:41.92(Materials Science, Multidisciplinary)AlおよびAl合金に10keVのHeイオンを種々の温度で照射し、またその後の焼鈍中の転移ループの挙動を調べ、次の結果を得た。17Kで転位ループが形成されること、純Alにおいて、焼鈍中の転位ループの挙動は照射中のイオン強度に依存すること、および添加元素の濃度が大であると、473Kにおいても、転位ループが形成されることを明らかにした。これらの結果について、照射温度と強度および添加元素の種類と濃度を考慮して、転位ループの形成、成長、消滅過程を検討した結果を報告する。
有賀 武夫; 高村 三郎; 星屋 泰二; 小桧山 守*
Japanese Journal of Applied Physics, 28(6), p.L964 - L966, 1989/06
被引用回数:24 パーセンタイル:87.78(Physics, Applied)Bi-Sr-Ca-Cu-O薄膜を400keVのHeイオンで室温照射すると超電導転移温度Tc(R=0)が92Kから30度低下(110/mの照射量で)、常伝導抵抗R(T=130K)が4倍に増加(同上の照射量)する。一方、Tc(Onset)はこの照射量ではほとんど変化しない。85Kでの照射では、室温照射に比べて、Tc(R=0)の著しい低下とR(T=130K)の増加が観測された。照射後300Kまで昇温するとR(T=130K)の減少(回復)がみられるが、回復量は照射量の増加とともに減少する。はじき出し損傷のしきいエネルギーを25eVと仮定しTc(R=0)の減少率を求め、Y-系セラミック超伝導薄膜での照射(イオン、中性子、電子線)によるTc(R=0)と比較すると、本実験で用いたBi-系薄膜の減少率が大きく、照射損傷に対しY-系より感受性が高いことを確めた。
北條 喜一; 古野 茂実; 大津 仁; 出井 数彦; 塚本 哲生*
Journal of Nuclear Materials, 155-157, p.298 - 302, 1988/00
被引用回数:31 パーセンタイル:91.95(Materials Science, Multidisciplinary)当研究室においてイオン照射に伴う点欠陥形成とイオン注入とを同時に進行する条件下での損傷の動的過程を透過型電顕内でその場観察する装置を設置した。この装置の概要及びその応用例について報告する。イオン照射系はイオン銃(デュオプラズマ型)と選別マグネット(30°偏向)及び電顕内付設静電プリズムよりなる。イオン電流は試料上でビーム径1mmに対して約1A(Heイオン:10KeV)である。又試料は加熱ホルダーで約800Cまで加熱することができる。電顕内蛍光板上の像は高感度撮像管を通してTVモニターで観察しつつVTRに録画できる。 この装置を用いてSiCおよびTiC結晶に室温でFlux310ions・cm・sec(10KeV)でHeイオンを照射した結果、SiCは初期段階で非晶質化し、さらにfluenceを増加させ10・cmオーダになるとバブルの成長・合体が急激に起った。TiCはSiCと違い非晶質化はせず微細な転位ループが多数発生することがわかった。
古野 茂実; 北條 喜一; 出井 数彦; 神垣 信生*; 紀 隆雄*
Journal of Nuclear Materials, 155-157, p.1149 - 1153, 1988/00
被引用回数:28 パーセンタイル:89.92(Materials Science, Multidisciplinary)電顕に付設したイオン照射装置と動的観察装置を用いて、Heイオンを照射しながら、アルミニウム中に形成されるバブルおよびブリスターのその場の観察を行った。室温照射では、バブルの成長、合体は認められないが、300C照射の場合、フラックスのいかんに係わらず、照射量が10ions/cmを越える頃からバブルの成長が急速になり、合体し、破裂する。その破裂跡に再びバブルが形成され、成長、合体、破裂する。以上の過程をくり返すことを明らかにした。また電子エネルギー損失分析装置を用いて、バブル中のヘリウムガスの濃度を測定した。以上の結果を報告する。
渡部 和弘; 伊藤 孝雄; 金井 丈雄*; 松岡 守; 松田 慎三郎; 蔀 守正; 塚原 美光; 薄井 勝富
JAERI-M 86-104, 53 Pages, 1986/07
JT-60プラズマ中心部のイオン温度測定に能動粒子線計測法が用いられる。能動粒子線源として200keV、3.5A、0.1秒という高エネルギ-でか大電流のヘリウムイオンビ-ム発生装置を開発した。JT-60へ装着するに先立ち、能動粒子線試験室に本装置を建設し開発試験および改良を行なった結果、定格出力のビ-ムを繰り返して安定に得られるようになった。本報告では、まず、本装置の電源システムの構成を示す。次にイオン源放電破壊時に発生するサ-ジ電圧の伝播による電源システムの誤動作に関する防止対策について述べる。さらに、ビ-ムを繰り返し安定に得る為に実施したサ-ジ電流低減策について、サ-ジ測定とシュミレ-ションとの対比を踏まえながら述べる。最後に、JT-60へ装着時のサ-ジ伝播をシュミレ-ションによって検討したので併せて記述する。
古野 茂実; 出井 数彦; 小野 興太郎*; 紀 隆雄*
Journal of Nuclear Materials, 133-134, p.400 - 404, 1985/00
被引用回数:12 パーセンタイル:80.38(Materials Science, Multidisciplinary)イオン照射したアルミニウム中に形成される損傷構造に対するイオン種の効果を電顕観察によって調べた。室温照射の場合、小さい転位ループおよびボイドが形成されるが、転位ループについては格子像観察の結果、格子間原子型のループであることが判った。高温照射の場合、反応性ガスイオン照射において、照射量を増しても、ボイドないしバブルが成長しないのに対して、不活性ガスイオン照射の場合、バブルが成長するという著しい相違を見い出した。これらの結果について報告する。
鈴木 建次; 片野 吉男; 有賀 武夫; 浜田 省三; 白石 健介
Journal of Nuclear Materials, 133-134, p.585 - 589, 1985/00
被引用回数:2 パーセンタイル:37.48(Materials Science, Multidisciplinary)核融合炉の第一壁材料では損傷組織に及ぼすヘリウムの影響が大きな問題になっているので、炭素量を0.15wt%まで含有する改良ステンレス鋼(PCA)におけるヘリウム気泡の析出挙動と炭素量との関係について検討した。1273および1373Kで30分間保持後急冷した試料に1.0MeVのヘリウムイオンを350および1023Kで約0.1dp(約210ppm)のピーク値になるまで照射した。照射後、試料の損傷領域における組織を電子顕微鏡で観察した。1023Kでヘリウムイオン照射した炭素含有量の異なる改良ステンレス鋼における組織観察によれば、炭素含有量の増加に伴ってヘリウム気泡の直径は11nmから4nmと減少するのに反して数密度は210/mから410/mと増加する。これらの結果は炭素含有量が増加することによりヘリウム気泡の核生成が促進される結果、ヘリウム気泡の成長を抑制することを示している。
出井 数彦; 北條 喜一; 古野 茂実; 小野 興太郎*; 紀 隆雄*
J.Electron Microsc., 33(4), p.381 - 383, 1984/00
高温(480C)でアルミニウム中に20keVのエネルギーで注入したヘリウムの存在状態を研究するために、電子顕微鏡附属の透過電子エネルギー分析計を用いてヘリウムの分析を行った。電顕により観察された多数のバブル中に高密度のヘリウムが存在していることが透過電子エネルギースペクトルの解析から判った。スペクトルの強度とヘリウムの全イオン化断面積の理論値からバブル中のヘリウムの原子密度は約610であると推定した。高密度ガスの状態方程式を用いてバブル中のヘリウムガスの圧力を計算し、240barの値を得た。このような高圧ガスの存在はブリスター発生の原因となるものである。
白石 健介; 深井 勝麿
Journal of Nuclear Materials, 117, p.134 - 142, 1983/00
被引用回数:12 パーセンタイル:77.07(Materials Science, Multidisciplinary)標準の316ステンレス鋼を室温で24MeVのヘリウムイオンを3.210ions/mまで照射した。この試料の上表面の微小硬さを照射面からの距離の関数として測定すると、硬さの最大値が照射面から105mの位置に現われる。また、この試料の断面の電子顕微鏡組織の観察では、照射面から105~114mの範囲で小さな転位ループが認められる。この試料を1023Kで1時間熱処理すると、化学エッチによって、照射面から107mの位置を中心にして8mの間隔をもった2本の線が光学顕微鏡写真上で観察される。この2本の線は、断面の電子顕微鏡写真で観察される、かなり密にしかも直線状に並んだフランクループの列と対応していることが確められた。本実験で観察した照射欠陥の深さ分布は、Littmark and Zieglerが非晶質の鉄について理論的に計算したヘリウムの分布とよい一致を示す。
深井 勝麿; 白石 健介
日本原子力学会誌, 25(4), p.52 - 54, 1983/00
高エネルギーイオンの金属中の平均飛程は照射欠陥による硬さの変化として比較的容易に測定できることが期待される。このことを確めるために、ステンレス鋼に24MeVのヘリウムイオンを3.210ions/mまで照射し、試料の上表面の硬さを照射面からの深さの関数として測定した。照射硬化による硬さの最大値は、照射量に関係なく、試料表面から105mの深さの位置に生じる。この深さは、電子顕微鏡で観察される照射欠陥の深さ分布とよく対応しており、照射硬化量も電子顕微鏡で観察される照射欠陥の大きさと密度から予測される値とかなりよい一致を示す。また、試料の前にクサビ型の黒鉛を置き、ステンレス鋼試料に入射するヘリウムイオンのエネルギーを連続的に変えた実験で得られた硬さが最大となる深さ位置を入射イオンのエネルギーの関数として整理すると、ヘリウムイオンのエネルギーが21~33MeVの範囲でLittmark-Zieglerの鉄についてのヘリウムイオンの平均過程の計算とかなりよく一致する。
左高 正雄; 白井 稔三; 菊地 昭*; 中井 洋太
JAERI-M 9310, 61 Pages, 1981/02
イオン-原子分子衝突における電離過程は放射線物理学等の分野において重要な素過程であるとともに核融合プラズマにおいてもプラズマ冷却過程等として重要な過程の一つである。本報告書においては特に核融合研究に重要なH,H,H,He,HeとH,H, He との衝突電離断面積を収集した。1979年までに発表された文献から測定値を調査し、調査の結果は文献リスト、グラフ、数値表としてまとめた。